L'atelier se déroulera sur deux journées.

Programme Général

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L’atelier sera divisé en trois parties:

  1. Rappel des techniques disponibles pour mesurer les contraintes locales / globales et pour imager le matériau. On insistera notamment sur les spécificités de la microdiffraction en faisceau polychromatique par rapport aux autres techniques.
  2. Présentation des connaissances actuelles en matière de description de l’état mécanique d’un polycristal, et de la façon dont évolue, se déforme, s’écoule et se fracture ce polycristal sous l’effet de sollicitations extérieures (mécaniques, thermiques, ...).
  3. Présentation des relations entre microstructure, contraintes et propriétés physiques autres que mécaniques. Plusieurs domaines d’application particuliers seront considérés, comme les matériaux magnétiques, les matériaux ferroélectriques, les microsystèmes et les circuits pour la microélectronique.

Une table ronde visera finalement à mettre à jour, dans les différents domaines d’application, une liste des problématiques pouvant bénéficier des déterminations locales de contraintes par microdiffraction. Il s’agira en particulier de discuter des stratégies à adopter dans les différents cas pour optimiser l’impact des résultats expérimentaux sur l’amélioration des modèles théoriques.

Les exposés seront effectués par des orateurs invités, les contributions des autres participants se feront sous forme de posters. Les participants sont encouragés à suggérer en avance des thèmes de discussion pour la table ronde.

Une visite de la nouvelle station de microdiffraction sera organisée pour permettre aux utilisateurs potentiels de se familiariser avec les aspects instrumentaux de la technique.

 

goniomètre GMT et miroirs focalisants (KB)

 

Programme détaillé

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De nombreux autres aspects expérimentaux et théoriques de la microdiffraction, généraux et particuliers, peuvent être abordés au cours de la table ronde. Des thèmes de discussion peuvent être dès maintenant proposés au comité d'organisation (microdiffraction workshop)     

 

 

CdTe

 

First Laue pattern collect on Cu interconnects/Si Substrate